SISTEMAS_ELECTRONICOS_PARA_INGENIERIA_BIOMEDICA

Transistor de Unión Bipolar (BJT)

npn

  1. LKC \(I_E = I_C + I_B\)
  2. BASE-EMISOR es un diodo: \(\left\{ \begin{array}{ c l } \textrm{conduce }(I_B>0) & \quad \textrm{si } V_{BE} > V_{BE_{SAT}} \\ \textrm{no conduce }(I_B=0) & \quad \textrm{si } V_{BE} \leq V_{BE_{SAT}} \end{array} \right}\)
  3. $I_B$ vs $I_C$ vs $V_{CE}$
    1. En modo de corte ($I_B = 0$)

    \(I_C = 0\)

    1. (en modo saturado ($\beta I_B > I_{C_{SAT}} $)):
    \[V_{CE} = V_{CE_{SAT}}\]

$V_{BE_{SAT}}$, $\beta$ y $V_{CE_{SAT}}$ son constantes para cada transistor

tipicamente $V_{BE_{SAT}} \approx 0.7\ V$, $V_{CE_{SAT}} \approx 0.2\ V$ y $\beta \approx 100 $

Bibliografia

Boylestad, R. & Nashelsky, L. (2009). Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos (10ma.ed.)

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