SISTEMAS_ELECTRONICOS_PARA_INGENIERIA_BIOMEDICA

Transistor de Unión Bipolar (BJT) III

Resúmen BJT: Modo de Saturación vs modo activo

\[I_E = I_C + I_B\] \[I_C = \beta I_B\] \[V_{CE} = V_{CE_{SAT}}\] \[I_C = \beta_{forzado} I_B\]

ejercicios con BJT

npn_re_rc

$I_{C_{SAT}}$

Uso del BJT como llave

npn_inverter

v_i_square_wave

Asumiendo $V_{LOW} < V_{BE}$ y $V_{HIGH} > V_{BE}$:

  1. Calcular $I_{C_{Sat}}$ (en el ejemplo, $I_{C_{Sat}} = \frac{V_{CC} - V_{CE_{SAT}}}{R_C}$)
  2. Elegir $\beta_{forzado} < \beta$
  3. Calcular $I_B = \frac{I_{C_{Sat}}}{\beta_{forzado}}$
  4. Calcular $R_B = \frac{V_{HIGH} - V_{BE}}{I_B}$

Bibliografia

Boylestad, R. & Nashelsky, L. (2009). Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos (10ma.ed.)

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